Fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP

Fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP

Etude des mécanismes de dégradation des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP destinés aux communications optiques

Editions universitaires europeennes ( 07.07.2010 )

€ 92,90

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Ces travaux de recherche portent sur l’évaluation de la fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur substrat InP au moyen de la mise en place de techniques spécifiques adaptées. Avant tout, les procédés de fabrication de ces composants sont décrits et les caractéristiques électriques statiques sont calculées au moyen de la simulation physique. Ensuite, la caractérisation électrique statique et la modélisation associée permet l’extraction des paramètres du modèle avant les vieillissements accélérés puis leur étude statistique. Puis deux mécanismes électriques spécifiques qualifiés de parasites en relation directe avec la fiabilité de ces composants sont analysés en détail: le claquage de la jonction base-collecteur et le bruit basse-fréquence. Finalement, l’étude des mécanismes de dégradation effectuée à l’issue des vieillissements accélérés sous les différentes contraintes retenues en tension et en température met en évidence une stabilité de la technologie de ces composants.

Détails du livre:

ISBN-13:

978-613-1-51305-3

ISBN-10:

6131513058

EAN:

9786131513053

Langue du Livre:

Français

de (auteur) :

JEAN-CHRISTOPHE MARTIN

Nombre de pages:

228

Publié le:

07.07.2010

Catégorie:

Électronique, Electrotechnique, Technologie des communications