Les Plasmas pour les Interconnexions en Microélectronique

Pour réduire la taille des dispositifs et les temps de commutation en microélectronique, les lignes d’interconnexions doivent être isolées par du SiOCH poreux. Cependant, la réalisation de tranchées étroites dans le SiOCH poreux nécessite de revoir les différents procédés par plasmas (gravure, traitements post-gravure) et les schémas d’intégration, puisque ce matériau est facilement dégradé lorsqu’il est exposé à un plasma. Cet ouvrage présente une analyse des interactions plasmas/matériaux pour l’intégration des SiOCH poreux dans des tranchées très étroites (<100 nm). Les diagnostics des plasmas et l’analyse des matériaux exposés aux plasmas permettent de caractériser et d’optimiser les procédés de transfert de motifs d’un masque métallique ou organique dans un SiOCH poreux ou hybride (rendu poreux en fin d’intégration). La modification des matériaux poreux et hybrides par les plasmas post-gravure est également présentée.