Caractérisation de l'interface GaAlSb / OXYDE (SiO₂, MgO, Al₂O₃)

Ce livre présente une large étude sur les propriétés électriques des couches minces d’oxydes : SiO₂, Al₂O₃, MgO et de leurs alliages binaires déposés sur les antimoniures : GaSb dégénéré et Ga0, 96Al0, 04Sb. Les oxydes sont fabriqués par coévaporation thermique réactive au canon à électron. Les résultats de cette étude donnent : - Sur le GaSb dégénéré, des résistivités de l’ordre de 1014 cm et les conductions électriques alternative et continue en fonction de la température sont interprétées par des modèles similaires à ceux de Poole-Frenkel. - Sur le Ga₁-XAlXSb de type n, on observe un déplacement du niveau de Fermi en fonction de la tension de grille et à partir des caractéristiques C(V) on déduit la concentration des impuretés dans le substrat. La dispersion en fréquence de la capacité, très forte en accumulation, est due au blocage du niveau de Fermi. Cette anomalie est attribuée à la présence d’une bande d’états d’interface accepteurs.