Etude des propriétés physique des chalcopyrites ternaire et quaternair

Ont été étudiés les propriétés structurales, électroniques, optiques et thermiques des semi-conducteurs chalcopyrites MgXAs2 (X = Si, Ge) en utilisant la méthode des ondes planes augmentées (FP-LAPW) basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT. Pour calculer les propriétés structurales, nous avons pris comme terme de potentiel d’échange et de corrélation l’approximation WC-GGA. Autre part, pour calculer les propriétés électroniques, en plus de l’approximation WC-GGA et EV-GGA, l’approximation du potentiel modifié de Becke et Johnson mBJ proposée par Tran et Blaha a été employée. Les caractéristiques optiques, telles que les fonctions diélectriques, les indices de réfraction, le coefficient d'extinction et la réflectivité optique, sont calculées pour des énergies de photons allant jusqu'à 14 eV. Les constantes élastiques (C11, C12, C13, C33, C44 et C66) sont évaluées.