Impact des perturbations électromagnétiques sur les composants Si/SiGe

Impact des perturbations électromagnétiques sur les composants Si/SiGe

Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques: des dégradations électriques à l’analyse structurale

Editions universitaires europeennes ( 05.09.2011 )

€ 69,00

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Cette travail propose une nouvelle méthodologie pour l'étude de la fiabilité des TBHs en technologie SiGe. L'originalité de cette étude vient de l'utilisation d'une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l'aide du banc champ proche. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l'interface Si/SiO2.Ceci est attribué à un phénomène de piégeage induit par des porteurs chauds. Ce phénomène a été abordé par la modélisation physique en étudiant l'influence des pièges d'interfaces sur la dérive des performances. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent être détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET et des analyses EDS ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane. Ces dégradations sont attribuées à un phénomène de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due à la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.

Détails du livre:

ISBN-13:

978-613-1-58721-4

ISBN-10:

6131587213

EAN:

9786131587214

Langue du Livre:

Français

By (author) :

Ali Alaeddine

Nombre de pages:

220

Publié le:

05.09.2011

Catégorie:

Electronics, electro-technology, communications technology