Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs

Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs

Application à l'étude et la modélisation évolutionnaire de la mobilité dans le Nitrure de Gallium (GaN)

Editions universitaires europeennes ( 26.11.2010 )

€ 39,00

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Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.

Détails du livre:

ISBN-13:

978-613-1-55139-0

ISBN-10:

6131551391

EAN:

9786131551390

Langue du Livre:

Français

By (author) :

Fayçal DJEFFAL
Nacereddine LAKHDAR

Nombre de pages:

88

Publié le:

26.11.2010

Catégorie:

Electronics, electro-technology, communications technology