Déposition de couche mince a-Si:H par procédé PECVD

Cet ouvrage est une étude sur la déposition de couche mince a-Si:H élaborée à partir d'un mélange (SiH4 + H2) par les procédés CVD assistés par plasma. Pour la simulation numérique, nous avons utilisé la méthode de Monte Carlo. Le modèle cinétique collisionnel choisi a permis d'étudier les phénomènes physico-chimiques et les propriétés collisionnelles dans le volume du réacteur et à la surface du substrat. Pour calculer les probabilités de la réactivité des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept : la probabilité de réactivité sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilité calculée, permet de calculer analytiquement les probabilités de collage, de recombinaison et de réactivité à la surface. A nos connaissances, c'est le premier modèle analytique qui calcul ces probabilités. Pour des températures du gaz variant de 373 K à 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculée est 0,30 ± 0,08. Cette valeur est la même que celle mesurée dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons présenté aussi un traitement de l'aspect fluide en résolvant l'équation de diffusion.